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名称:全反射X射线荧光分析;total reflection X-ray fluorescence analysis
      20世纪80年代迅速发展起来的一种高灵敏度痕量分析方法。当一束经过准直的X射线束,以低于全反射临界角φ投射到表面高度平滑的石英切割反射体(低通能量滤波器)时,低能X射线进行全反射,高能X射线被反射体材料折射和吸收而受到衰减,降低了散射背景。经全反射的高能X射线射到样品架上的μm级薄膜样品,激发被分析样品产生元素的特征X射线荧光,未被利用的入射X射线荧光被垂直放置的Si(或Li)探测器所检测,实现痕量元素的定性和定量分析。由于大大减少了原级X射线在样品架和样品上的相干和不相干散射,使散射本底较常规能量色散X射线荧光分析降低了3个数量级以上,大大降低了检出限,对原子序数大于11的大部分元素检出限可达到10-10~10-12g。此外还具有试样用样量少(μL或μg级);可测定的元素和浓度范围广,除Na, Mg, Al, Si, P等轻元素外均可测;基体效应可以忽略;制样简便等优点。

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